KIMS 해외단신 118호 (2012.03.30)

새로운 형태의 산화하프늄 개발

   ADVANCED MATERIALS & PROCESSES 3월 발간지에서는 영국 케임브리지대학의 연구팀이 유전율이 30이상인 새로운 형태의 산화하프늄을 개발했다고 밝혔다.

   다음은 관련기사에서 발췌, 번역한 내용이다.

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   영국 케임브리지 대학의 연구팀은 차세대 전자 및 광전자 장치의 새로운 가능성을 열어주고 부품 소형화의 새로운 길을 여는 우수한 소재를 개발했다. 새로운 형태의 산화하프늄인 이 소재는 케임브리지대학 엔지니어링학부의 연구팀이 개발했다. 이 소재는 전자산업분야에서 핵심소재로 이용되고 있는 기존의 산화하프늄 보다 더욱 높은 유전율을 가지고 있다. 산화금속물은 박막증착(sputtering)방식에 의해 기판에 생성되지만 증착 과정의 에너지 및 결함 빈도와 같은 소재 특성을 정밀하게 제어하기 힘들다. 이를 극복하기 위해서 연구원들은 플라즈마 HiTUS(high target utilisation sputtering)로 알려져 있는 Quest Ltd社의 새로운 기술을 사용한다. 연구팀은 산화하프늄, 광학코팅에 사용되는 절연장치, 축전기, 그리고 트렌지스터와 함께 HiTUS를 사용했고, 유전율이 30이상이고 형태가 없는 산화하프늄이 생성된다는 사실을 알아냈다. 다른 방법을 사용했을 때는 유전율이 20정도인 무정형 산화하프늄이 생성되었다. 이 소재는 상온에서 하이디포지션 공정을 이용해 생성되었으며 플라스틱 전자와 다량의 반도체 생산에 적합하다. 결정입계가 없어 광학 코팅과 더욱 효율적인 태양전지를 생산하는데 있어 이상적인 소재라고 할 수 있다. 케임브리지 대학의 상용화 그룹인 케임브리지 엔터프라이즈는 이 소재의 공동개발과 라이센싱을 위한 상용화 파트너를 물색하고 있다.

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